隨著工業(yè)和科技的快速發(fā)展，現(xiàn)有的4G基站，每個(gè)陣列最多使用四個(gè)發(fā)射器和四個(gè)接收器（4x4 MIMO）。與之相比，預(yù)計(jì)采用大規(guī)模MIMO陣列的5G基站，每個(gè)陣列可使用多達(dá)64個(gè)發(fā)送器和64個(gè)接收器。5G網(wǎng)絡(luò)能比4G網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)傳輸速率高100倍，并且網(wǎng)絡(luò)延遲低至1ms。

       對(duì)比傳統(tǒng)分立式 DC / DC IC和外部電感的解決方案，5G基站的電路板組件密度要求更高，尺寸要求更小，且需要實(shí)現(xiàn)更高的效率和更低的EMI。 

       基站的輸入電壓通常為48V，該電壓被DC / DC轉(zhuǎn)換器降壓至24V或12V，然后進(jìn)一步降壓到多個(gè)電源軌，范圍從3.3V至1V以下，這些電源軌為基帶處理器中的ASIC電路供電。 

       同時(shí)，為了減少開(kāi)關(guān)電流引起的傳導(dǎo)和輻射EMI，還需要精心對(duì)元件布局和放置濾波器組件。DC / DC轉(zhuǎn)換器通常會(huì)通過(guò)電流回路中的磁場(chǎng)產(chǎn)生傳導(dǎo)EMI，而電流回路主要形成在輸出功率MOSFET開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)與地之間以及輸入電容與地之間。MOSFET開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)與電感連接處也會(huì)產(chǎn)生輻射電場(chǎng)EMI，由于需要不斷在輸入電平與地電平切換，因此dV / dt很高，并且電感本身產(chǎn)生的電磁場(chǎng)也會(huì)產(chǎn)生輻射。  

      金籟科技軟飽和磁芯的封閉式磁路電感、優(yōu)化的電流環(huán)路和集成輸入濾波，能大大簡(jiǎn)化最終設(shè)計(jì)，確保滿足輻射和傳導(dǎo)EMI要求。

2023年，金籟科技- 5G 基站電感應(yīng)用還將加大進(jìn)度投入新產(chǎn)品研發(fā)，緊跟智能科技化的步伐，歡迎各位新老客戶量大來(lái)詢！